Tweet
Samsung, faz değişim malzemesi olarak bilinen parçalardan bellek birimleri üreteceğini açıkladı.
Bu birimler, ısınınca veri kaydeden ya da silen bileşenlerden oluşuyor ve mevcut benzerlerinden çok daha az enerji harcıyor.
Samsung, bu bellek birimlerinin 2010 yılı içinde üretilmeye başlanacağını açıkladı.
Firma, PCM yani faz değişim bellek çiplerini mevcut tasarımlarla aynı formatta üretecek. Bu sayede yeni çipler, mevcut üretim hattına kolay uyarlanabilecek.
Faz değişim bellek çiplerinin en yaygın biçimi, cama benzer bir malzeme olan germanyum, antimon ve titanyum alaşımından üretiliyor.
Çalışma prensibi
Belirli bir voltajın bu belleğe verilmesiyle oluşan ısı, malzemeyi, elektriğe karşı farklı dirençler sergileyen iki ayrı biçime dönüştürüyor.
Sonuç olarak da bilgisayar dilindeki 0 ve 1'leri temsil etmek üzere kullanılabiliyor.
Samsung yöneticileri, Taipei'de düzenledikleri mobil teknoloji forumunda, PCM birimlerinin 512 Mbit olarak üretmeye başlayacaklarını açıkladı.
Şirketin yaptığı laboratuar denemesinin sonuçları 512 Mbit faz değişim belleğinin, verileri bazı flaş bellek tiplerine göre 10 kata kadar daha hızlı okuyup yazabildiğini ortaya koydu.
Samsung'a göre PCM bellek genel tabloda ise mevcut flaş belleğe göre üç kat civarında bir hız artışı sağlıyor.
Samsung'un bu işlemcileri telefonlarda kullanan ilk firma olacağı düşünülüyor.
BBC